Exercício 9457526

Em 1947 (portanto, há exatos 70 anos), foi criado o primeiro transistor pelos cientistas John Bardeen e Walter H. Brattain, nos laboratórios da Bell Telephone, nos Estados Unidos. Hoje, estes dispositivos são a base dos componentes que executam as funções lógicas nos mais diversos equipamentos eletrônicos, como o caixa eletrônico de bancos, o sistema de injeção eletrônica de automóveis, os computadores e os smariphones. Um transistor do tipo bipolar de junção é representado pelo símbolo da Figura 1, onde são indicados os três terminais do dispositivo, a Base, o Emissor e o Coletor. Figura 1 Figura 2 C O) © ‘oO o = <— 2 O Mo. a mt! No gráfico da Figura 2, são dadas as curvas características desse transistor (na configuração de emissor co- mum). Nesse gráfico, a corrente elétrica Ic no coletor, estabelecida pela ddp Vcs aplicada entre os terminais do coletor e do emissor, é controlada pelo valor da corrente elétrica Is aplicada ao terminal da base. Considerando que a corrente na base é de Ig = 200 uA, obtenha a resistência elétrica entre o coletor e o emis- sor do transistor quando a ddp Vcg = 0,5 V. Justifique sua resposta, apresentando os cálculos envolvidos na resolução desta questão.