Em 1947 (portanto, há exatos 70 anos), foi criado o primeiro transistor pelos cientistas John Bardeen e Walter
H. Brattain, nos laboratórios da Bell Telephone, nos Estados Unidos. Hoje, estes dispositivos são a base dos
componentes que executam as funções lógicas nos mais diversos equipamentos eletrônicos, como o caixa
eletrônico de bancos, o sistema de injeção eletrônica de automóveis, os computadores e os smariphones.
Um transistor do tipo bipolar de junção é representado pelo símbolo da Figura 1, onde são indicados os três
terminais do dispositivo, a Base, o Emissor e o Coletor.
Figura 1 Figura 2
C
O)
©
‘oO
o
=
<—
2
O
Mo.
a
mt!
No gráfico da Figura 2, são dadas as curvas características desse transistor (na configuração de emissor co-
mum). Nesse gráfico, a corrente elétrica Ic no coletor, estabelecida pela ddp Vcs aplicada entre os terminais
do coletor e do emissor, é controlada pelo valor da corrente elétrica Is aplicada ao terminal da base.
Considerando que a corrente na base é de Ig = 200 uA, obtenha a resistência elétrica entre o coletor e o emis-
sor do transistor quando a ddp Vcg = 0,5 V.
Justifique sua resposta, apresentando os cálculos envolvidos na resolução desta questão.